[发明专利]氮气注入设备有效
申请号: | 201080035368.1 | 申请日: | 2010-08-03 |
公开(公告)号: | CN102576654A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 李承龙 | 申请(专利权)人: | 李承龙 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于LCD制造设备的半导体装置的氮气注入装置,其可以轻易制造,因此可降低生产成本,并且使一氮气注入方向对应反应副产品的流向,因此可有效地注入氮气而不会干扰反应副产品的流动。该氮气注入装置包含一对具有凸缘的凸缘管,一沿着耦接在一起的凸缘管的其中之一的内壁耦接的环形注入喷嘴,以供应氮气至这些凸缘管内;以及一连接至该注入喷嘴以供应氮气的氮气供应线。该注入喷嘴的内部具有一孔,用以使一圆周方向供应的氮气流动,以及多个与该孔连通的注入孔,用以将氮气供应至这些凸缘管内。这些注入孔形成于自这些凸缘管的内表面突出的位置,以将氮气注入反应副产品的流动方向。 | ||
搜索关键词: | 氮气 注入 设备 | ||
【主权项】:
一种氮气注入装置,包含:一对凸缘管,每一凸缘管具有一凸缘,用以连接一使副产品气体可经由其运送的管;一以一环形沿着所述凸缘管的壁耦接于所述一对凸缘管之间的注入喷嘴,用以供应氮气至所述凸缘管内;以及一连接至所述注入喷嘴以供应氮气的氮气供应线,其中,所述注入喷嘴具有一沿着圆周方向限定的孔,使氮气能够移动,所述注入喷嘴包括多个与所述孔连通的注入孔,用以使供应的氮气可被注入至所述凸缘管内,以及所述注入孔形成于自所述凸缘管的一内表面突出的位置,以将氮气注入与反应副产品的流动方向相同的方向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李承龙,未经李承龙许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080035368.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜晶体管、其制造方法及液晶显示装置
- 下一篇:光学显微镜及光学计测
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造