[发明专利]亚光刻间距结构与光刻间距结构之间的互连有效
申请号: | 201080035469.9 | 申请日: | 2010-08-04 |
公开(公告)号: | CN102473649A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | S·邦萨伦提普;D·C·埃德尔斯坦;W·D·辛斯伯格;H-C·金;S·克斯特;P·M·索罗曼 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/44 | 分类号: | H01L21/44 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 于静;张亚非 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 形成了亚光刻间距结构与光刻间距结构之间的互连。具有亚光刻间距的多个导电线可被光刻构图,并沿着与所述多个导电线的长度方向成小于45度的角的直线而被切割。或者,可将与均聚物混合的共聚物置于凹陷区中且使所述共聚物自对准以形成多个导电线,所述多个导电线在恒定宽度区域中具有亚光刻间距且在梯形区域处的相邻线之间具有光刻尺寸。又或者,可在相同或不同的层级(level)形成具有亚光刻间距的第一多个导电线和具有光刻间距的第二多个导电线。 | ||
搜索关键词: | 光刻 间距 结构 之间 互连 | ||
【主权项】:
一种结构,包括:第一多个导电线,其具有第一间距且被掩埋在至少一个介电层中,其中所述第一多个导电线中的每一个具有与第一垂直平面平行的侧壁对和位于第二垂直平面内的端壁,其中所述第一垂直平面与所述第二垂直平面之间的角小于45度;以及多个导电过孔,其中所述多个导电过孔中的每一个接触所述多个导电线之一的端部且被掩埋在所述至少一个介电层中,且其中所述第二垂直平面与所述多个导电过孔中的每一个相交。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造