[发明专利]发射辐射的半导体器件无效
| 申请号： | 201080035663.7 | 申请日： | 2010-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102473717A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 诺温·文马尔姆;拉尔夫·维尔特 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发射辐射的半导体器件，其包括：发光二极管芯片(1)，其具有至少两个可彼此无关地工作的发射区域(2a、2b)；以不同方式构建的至少两个转换元件(31、32)，其中每个发射区域(2a、2b)设置用于在发光二极管芯片(1)工作时产生电磁初级辐射，每个发射区域(2a、2b)均具有发射面(21、22)，初级辐射的至少一部分通过所述发射面从发光二极管芯片(1)耦合输出，转换元件(31、32)设置用于吸收初级辐射的至少一部分并且再发射次级辐射，以不同方式构建的转换元件(31、32)设置在不同的发射面下游；电阻元件(4)，其与发射区域(2a、2b)中的至少一个串联或并联连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 半导体器件 | ||
【主权项】：
发射辐射的半导体器件，所述半导体器件包括‑发光二极管芯片(1)，所述发光二极管芯片具有‑至少两个可彼此无关地工作的发射区域(2a、2b)，‑至少两个以不同方式构建的转换元件(31、32)，其中‑每个所述发射区域(2a、2b)均设置用于在所述发光二极管芯片(1)工作时产生电磁初级辐射，‑每个发射区域(2a、2b)均具有发射面(21、22)，所述初级辐射的至少一部分通过所述发射面从所述发光二极管芯片(1)耦合输出，‑所述转换元件(31、32)设置用于吸收所述初级辐射的至少一部分并且再发射次级辐射，‑以不同方式构建的所述转换元件(31、32)设置在不同的发射面下游，‑电阻元件(4)，所述电阻元件与所述发射区域(2a、2b)中的至少一个串联或并联连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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