[发明专利]具有改进型存储器块切换的半导体存储器有效
| 申请号： | 201080035781.8 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102483948A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·严;卢卡·法索里;罗伊·E.·史契尔兰 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C7/12;G11C13/00;G11C16/02;G11C16/24;G11C17/06;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨生平;钟锦舜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 非易失性存储器内核包括一个或多个存储器隔间。每个存储器隔间包括一个或多个存储器块，所述存储器块包括一组非易失性存储元件。在一个实施例中，在特定存储器隔间中的存储器块共享一组读/写电路。在存储器操作期间，存储器块被转变为激活和非激活状态。将块从非激活状态转变为激活状态的过程包括在正进入激活状态的存储器块和先前处于激活状态的另一个存储器块之间共享电荷。电荷共享改进了存储器系统的性能和/或降低了存储器系统的能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进型 存储器 切换 半导体 | ||
【主权项】：
一种操作非易失性存储系统的方法，包括：将第一组非易失性存储元件设置为激活状态，所述将第一组非易失性存储元件设置为激活状态包括将多个第一控制线偏压至一个或多个未被选电压，每个第一控制线被耦合至所述第一组非易失性存储元件的子集；将第二组非易失性存储元件设置为非激活状态，所述第二组非易失性存储元件的子集的每个非易失性存储元件被耦合至多个第二控制线之一；以及将所述第二组非易失性存储元件从所述非激活状态转变为所述激活状态，所述转变包括：在所述多个第一控制线和所述多个第二控制线之间共享电荷。
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