[发明专利]电泵浦的光电半导体芯片有效
| 申请号： | 201080035921.1 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102576785A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;于尔根·奥弗;泷哲也;约阿希姆·赫特功;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;安斯加尔·劳布施;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在电泵浦的光电半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，所述电泵浦的光电半导体芯片具有至少两个能产生辐射的量子阱(2)，其中，能产生辐射的量子阱(2)包括InGaN或者由其组成。此外，光电半导体芯片(1)包括至少两个覆层(4)，所述覆层包括AlGaN或者由其组成。所述覆层(4)中的每个与能产生辐射的量子阱(2)中的正好一个相关联。所述覆层(4)各位于相关联的能产生辐射的量子阱(2)的p侧上。在能产生辐射的量子阱(2)与相关联的覆层(4)之间的距离为最高1.5nm。 | ||
| 搜索关键词： | 电泵浦 光电 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
电泵浦的光电半导体芯片(1)，具有：‑至少两个能产生辐射的量子阱(2)，所述能产生辐射的量子阱包括InGaN或者由其组成；以及‑至少两个覆层(4)，所述覆层包括AlGaN或者由其组成，其中，‑所述覆层(4)中的每个与所述能产生辐射的量子阱(2)中的刚好一个相关联，‑所述覆层(4)各位于所述能产生辐射的量子阱(2)的p侧上，并且‑在所述能产生辐射的量子阱(2)与相关联的所述覆层(4)之间的距离为最高1.5nm。
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