[发明专利]为结晶硅太阳能电池制造发射电极的方法和相应的硅太阳能电池无效
申请号: | 201080036047.3 | 申请日: | 2010-08-12 |
公开(公告)号: | CN102687280A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | H·哈费尔坎普;P·米特齐内克;K·基宁格;J·佐尔纳 | 申请(专利权)人: | 吉布尔·施密德有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜荔南;李家麟 |
地址: | 德国弗罗*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在用于为硅晶片上的硅太阳能电池制造正面发射电极作为正面触点的方法中,在硅太阳能电池的正面中产生凹陷。然后产生正面的n掺杂的硅层和抗反射层。然后借助喷墨印刷机将膏状物引入到凹陷中,该膏状物包含导电的金属粒子和腐蚀性玻璃熔料,该腐蚀性玻璃熔料通过短时加热腐蚀穿透抗反射层到n掺杂的硅层并且电接触该n掺杂的硅层。此后在凹陷中将导电的正面触点金属电镀地积聚到经火后的膏状物上作为正面触点。 | ||
搜索关键词: | 结晶 太阳能电池 制造 发射 电极 方法 相应 | ||
【主权项】:
一种用于为硅晶片上的结晶的硅太阳能电池制造正面发射电极作为正面触点的方法,其中在硅晶片的正面中产生用于正面触点的凹陷,并且在产生正面的n掺杂的硅层和施加抗反射层之后,将膏状物或者油墨引入到所述凹陷中,所述膏状物或者油墨包含导电的金属粒子和腐蚀性玻璃熔料,其中膏状物或者油墨此后在短时加热或者退火之后腐蚀穿透抗反射层至n掺杂的硅层并且电接触该n掺杂的硅层,其中然后在所述凹陷中将导电的正面触点金属电镀地积聚或者施加到经退火的膏状物或者油墨上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉布尔·施密德有限责任公司,未经吉布尔·施密德有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080036047.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的