[发明专利]紫外线照射装置有效
| 申请号： | 201080036134.9 | 申请日： | 2010-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102484172A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 冈本晃一;船户充;川上养一;片冈研;羽田博成 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人京都大学;优志旺电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够通过没有利用pn结的简便的构造，高效地利用表面等离子体电磁声子，高效率地放射特定波长的紫外线的紫外线照射装置。在具有紫外线透过窗的真空密封的容器内，配设至少1个以上的半导体多层膜元件、和电子束放射源而成，该半导体多层膜元件具备具有基于InxAlyGa1-x-yN(0≤x＜1、0＜y≤1、x+y≤1)的单一量子阱构造或者多重量子阱构造的活性层、和在该活性层的上表面形成的由铝或者铝合金的金属粒子构成且具有该金属粒子所构成的纳米构造的金属膜而成，通过对所述半导体多层膜元件照射来自所述电子束放射源的电子束，经由所述紫外线透过窗向外部放射紫外线。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 照射 装置 | ||
【主权项】：
一种紫外线照射装置，其特征在于：在具有紫外线透过窗的真空密封的容器内，配设至少1个以上的半导体多层膜元件、和对该半导体多层膜元件照射电子束的电子束放射源而成，该半导体多层膜元件具备活性层和金属膜，所述活性层具有基于InxAlyGa1‑x‑yN的单一量子阱构造或者多重量子阱构造，所述金属膜由在该活性层的上表面形成的铝或者铝合金的金属粒子构成并具有该金属粒子所构成的纳米构造，其中0≤x＜1、0＜y≤1、x+y≤1，通过对所述半导体多层膜元件照射来自所述电子束放射源的电子束，经由所述紫外线透过窗向外部放射紫外线。
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