[发明专利]热辅助磁记录介质和磁存储装置有效
申请号: | 201080036321.7 | 申请日: | 2010-08-19 |
公开(公告)号: | CN102473420A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 神边哲也;佐佐木有三;桥本笃志 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/738 | 分类号: | G11B5/738;G11B5/02;G11B5/64;G11B5/667 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种热辅助磁记录介质和使用了所述热辅助磁记录介质的磁存储装置,本发明的热辅助磁记录介质具有:基板(1);形成于基板(1)上的基底层;和形成于该基底层上的以具有L10结构的FePt合金或具有L10结构的CoPt合金为主成分的磁性层(5),其中,该基底层由第1基底层(2)、第2基底层(3)和第3基底层(4)构成,所述第1基底层由非晶合金构成,所述第2基底层由以Cr为主成分、并且含有Ti、Mo、W、V、Mn、Ru之中的至少1种元素的BCC结构的合金构成,所述第3基底层由MgO构成。 | ||
搜索关键词: | 辅助 记录 介质 存储 装置 | ||
【主权项】:
一种热辅助磁记录介质,具有:基板;形成于该基板上的基底层;和形成于该基底层上的以具有L10结构的FePt合金或具有L10结构的CoPt合金为主成分的磁性层,其特征在于,该基底层由第1基底层、第2基底层和第3基底层构成,所述第1基底层由非晶合金构成,所述第2基底层由以Cr为主成分、并且含有Ti、Mo、W、V、Mn、Ru之中的至少1种元素的BCC结构的合金构成,所述第3基底层由MgO构成。
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