[发明专利]形成单壁碳纳米管的方法有效
| 申请号： | 201080036707.8 | 申请日： | 2010-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102548896A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈元;杨艳辉 | 申请（专利权）人： | 新加坡南洋理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B01J29/035 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 徐国栋;林柏楠 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成单壁碳纳米管的方法。所述方法包括使气体碳源与中孔TUD-1硅酸盐在合适的条件下接触。中孔TUD-1硅酸盐包含元素周期表族3-13的金属。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 单壁碳 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种形成单壁碳纳米管的方法，所述方法包括使气体碳源与中孔TUD‑1硅酸盐在合适的条件下接触，其中中孔TUD‑1硅酸盐包含用于纳米管生长的催化有效金属。
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