[发明专利]In-Ga-Zn-O系氧化物烧结体无效
| 申请号： | 201080036828.2 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102482156A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 矢野公规;川岛浩和;糸濑将之;井上一吉 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氧化物烧结体，其含有In(铟元素)、Ga(镓元素)以及Zn(锌元素)，相对于除了氧元素之外的总元素的In、Ga以及Zn的总计含有率为95原子％以上，包含显示In2O3所示的方铁锰矿结构的化合物，和显示ZnGa2O4所示的尖晶石结构的化合物。 | ||
| 搜索关键词： | in ga zn 氧化物 烧结 | ||
【主权项】：
一种氧化物烧结体，其含有In(铟元素)、Ga(镓元素)以及Zn(锌元素)，相对于除了氧元素之外的总元素的In、Ga以及Zn的总计含有率为95原子％以上，包含显示In2O3所示的方铁锰矿结构的化合物，和显示ZnGa2O4所示的尖晶石结构的化合物。
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