[发明专利]扩散剂组合物、杂质扩散层的形成方法、以及太阳能电池有效
| 申请号： | 201080036913.9 | 申请日： | 2010-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN102473613A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 平井隆昭;室田敦史;谷津克也 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种扩散剂组合物，含有：杂质扩散成分(A)、在低于所述杂质扩散成分(A)开始热扩散的温度的温度下热分解而消失的粘合剂树脂(B)、SiO2微粒(C)、和包含沸点为100℃以上的有机溶剂(D1)的有机溶剂(D)。一种杂质扩散层的形成方法，包括：在半导体基板上印刷所述的扩散剂组合物而形成图案的图案形成工序，使所述扩散剂组合物的杂质扩散成分(A)向所述半导体基板扩散的扩散工序。以及一种太阳能电池，其具备利用所述的杂质扩散层的形成方法形成了杂质扩散层的半导体基板。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 组合 杂质 形成 方法 以及 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种扩散剂组合物，是向半导体基板的杂质扩散成分的印刷中所用的扩散剂组合物，其特征在于，含有：杂质扩散成分(A)、在低于所述杂质扩散成分(A)开始热扩散的温度的温度下热分解而消失的粘合剂树脂(B)、SiO2微粒(C)、和包含沸点为100℃以上的有机溶剂(D1)的有机溶剂(D)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
