[发明专利]通过具有错配位错的部分或完全驰豫氮化铝铟镓层的半极性氮化物量子阱中的各向异性应变控制

摘要

本发明涉及一种用于基于III氮化物的光学装置的外延结构，其包括在下伏层上的具有各向异性应变的作用层，其中所述下伏层中的晶格常数及应变由于存在错配位错而在至少一个方向上部分或完全驰豫，以便通过所述下伏层调制所述作用层中的所述各向异性应变。

主权项

一种用于基于III氮化物的光学装置的外延结构，其包括：形成于III氮化物底层上的具有各向异性应变的III氮化物作用层，其中所述底层中的晶格常数及应变由于在所述底层下面的异质界面处存在错配位错而抵靠衬底在至少一个方向上部分或完全驰豫，以便通过所述底层调制所述作用层中的所述各向异性应变。