[发明专利]用于不同半导体裸片和/或晶片的半导体晶片到晶片结合有效
| 申请号： | 201080037505.5 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102484099A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 阿尔温德·钱德拉舍卡朗;布雷恩·M·亨德森 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L25/065;H01L21/60;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于经重构晶片与第二晶片的晶片到晶片堆叠的半导体制造工艺产生堆叠式(3D)IC。所述经重构晶片包括裸片、裸片互连和模制化合物。当堆叠时，所述经重构晶片的所述裸片互连对应于所述第二晶片上的裸片互连。晶片到晶片堆叠改进了所述制造工艺的产量。所述经重构晶片可包括与所述第二晶片中的裸片大小不同的裸片。并且，可从具有与所述第二晶片不同的大小的晶片单一化所述经重构晶片的所述裸片。因此，此晶片到晶片制造工艺可组合不同大小的裸片和/或晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 不同 半导体 晶片 结合 | ||
【主权项】：
一种用于具有第一裸片的第一晶片到具有第二裸片的经重构晶片的晶片到晶片结合的半导体制造工艺，其包含：对准所述经重构晶片的所述第二裸片，使得所述第二裸片上的第二互连与所述第一裸片上的第一互连对准；以及使所述经重构晶片与所述第一晶片耦合以产生晶片堆叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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