[发明专利]半色调掩膜的制造方法无效
| 申请号： | 201080037805.3 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102483568A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 金武成 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/32 | 分类号： | G03F1/32;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;林锦辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半色调掩膜的制造方法，所述半色调掩膜被配置为利用单一半透过材料而具有多个半透过单元，其中半色调掩膜的制造方法包括：在衬底上形成半透过材料；以及形成半透过区，所述半透过区用通过等离子体表面处理所述半透过材料和调节所述半透过材料的透射率而形成的具有与所述半透过材料的光透射率不同的透射率的至少一种半透过材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 色调 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半色调掩膜的制造方法，包括：在衬底上形成半透过材料；以及形成半透过区，所述半透过区用通过等离子体表面处理所述半透过材料和调节所述半透过材料的透射率而形成的具有与所述半透过材料的光透射率不同的透射率的至少一种半透过材料形成。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
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G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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