[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201080037940.8 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102484131A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 松田成修 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;郑永梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置(100)具备元件区域和外周区域，元件区域具有：具有第一导电型的第一半导体层(1)；在第一半导体层的表面形成为岛状，并具有与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层(2)；在第二半导体层的表面形成为岛状，并具有第一导电型的第三半导体层(3)；以及贯通第二半导体层和第三半导体层并到达第一半导体层的内部的多个栅极沟槽(11)，外周区域具有：在元件区域的周围，贯通第二半导体层及第三半导体层，并到达第一半导体层内的多个外周沟槽(14)；以及在第一半导体层的表面形成为岛状，并具有第一导电型的终端层(6)，还具备半导体基体(10)，半导体基体(10)具有第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层及终端层，在第一半导体层的表面侧，第一半导体层未露出于表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备元件区域和外周区域，上述元件区域具有：具有第一导电型的第一半导体层；在上述第一半导体层的表面形成为岛状，并且具有与上述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层；在上述第二半导体层的表面形成为岛状，并且具有上述第一导电型的第三半导体层；以及贯通上述第二半导体层和上述第三半导体层并到达上述第一半导体层的内部的多个栅极沟槽，上述外周区域具有：在上述元件区域的周围，贯通上述第二半导体层及上述第三半导体层，并到达上述第一半导体层内的多个外周沟槽；以及在上述第一半导体层的表面形成为岛状，并且具有上述第一导电型的终端层，由上述第一半导体层、上述第二半导体层、上述第三半导体层以及上述终端层构成半导体基体，在上述第一半导体层的表面侧上述第一半导体层未露出于上述半导体基体的表面。
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