[发明专利]使用三重植入通过裂开分离硅薄膜的方法

摘要

为了从一原始衬底上通过裂开分离硅薄膜，通过自由表面在原始衬底(10)内执行植入物质的步骤，以形成减弱层(13)，在用于紧密接触自由表面与加固物的可选择的加固步骤之前和/或之后，具有在至少450℃的温度下的至少一个中间步骤，然后具有沿着减弱层裂开的分离步骤。植入步骤包含使用植入能量以及植入剂量以任一顺序植入硼、氦和氢。植入能量如下：以具有10nm的一最大差值在完全一样的深度实质获得氦和硼浓度最大值；最大氦和硼浓度相比最大氢浓度处于较浅的水平。并且植入剂量如下：硼剂量至少等于5×1013B/cm2；以及氦剂量和氢剂量的总剂量至少等于1016原子/cm2和至多等于4×1016原子/cm2，优选至多等于3×1016原子/cm2。

主权项

一种通过裂开从施主衬底(10)用于分离薄膜(15)的工艺，包含：通过自由表面在所述施主衬底内植入物质的步骤，以形成减弱层(13)，所述施主衬底在其至少位于所述自由表面下方的部分，超过至少等于所述薄膜的厚度的深度，即将被分离的所述薄膜由硅构成；包含在至少450℃的温度下进行热处理的至少一个中间步骤；以及沿着所述减弱层通过裂开的分离步骤，其特征在于，所述植入物质步骤包含使用植入能量以及使用植入剂量以任一顺序植入硼、氦和氢，植入能量如下：相隔至多10nm，以实质相同的深度获得氦和硼浓度最大值；以及以大于所述氦和硼浓度最大值至少20nm的深度，获得氢浓度最大值，并且植入剂量如下：硼植入剂量至少等于5×1013B/cm2；以及氦剂量和氢剂量的总剂量至少等于1016原子/cm2，并至多等于4×1016原子/cm2。