[发明专利]掺杂的透明导电氧化物无效

专利信息
申请号: 201080038035.4 申请日: 2010-08-20
公开(公告)号: CN102482796A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 道格拉斯·道森;斯科特·米勒斯;泊伊尔·帕斯马科夫;戴尔·罗伯逊;赵志波 申请(专利权)人: 第一太阳能有限公司
主分类号: C30B29/32 分类号: C30B29/32;C30B23/00;C30B25/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 郭鸿禧
地址: 美国俄*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了一种具有掺杂的透明导电氧化物层的太阳能电池。掺杂的透明导电氧化物层可以提高CdTe基太阳能电池或其它类型的太阳能电池的效率。
搜索关键词: 掺杂 透明 导电 氧化物
【主权项】:
一种光伏基底,所述光伏基底包括:基底;阻挡层,与基底相邻;透明导电氧化物层,与阻挡层相邻,其中,透明导电氧化物层能够掺杂有实现较低的电阻率的掺杂剂;以及缓冲层,与透明导电氧化物层相邻。
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