[发明专利]具有分隔屏蔽的同位素产生系统有效
| 申请号： | 201080038292.8 | 申请日： | 2010-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102484941A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | J·诺尔林;T·埃里克松 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H05H6/00 | 分类号： | H05H6/00;H05H13/00;G21G1/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种同位素产生系统，包括具有围绕加速室的磁轭的回旋加速器。回旋加速器配置成定向来自加速室的粒子束通过磁轭。同位素产生系统还包括在磁轭附近定位的靶系统。靶系统配置成保持靶材料，并且包括在磁轭与靶位置之间延伸的辐射屏蔽。辐射屏蔽的大小和形状配置成衰减从靶材料朝向磁轭发射的伽马射线和/或中子。同位素产生系统还包括从加速室延伸到靶位置的束通道。束通道至少部分由磁轭以及靶系统的辐射屏蔽形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分隔 屏蔽 同位素 产生 系统 | ||
【主权项】：
一种同位素产生系统，包括：回旋加速器，其包括围绕加速室的磁轭，所述回旋加速器配置成定向来自所述加速室的粒子束通过所述磁轭；以及靶系统，其相邻所述磁轭定位，所述靶系统配置成保持靶材料，并包括在所述磁轭与所述靶区域之间延伸的辐射屏蔽，其中所述辐射屏蔽的大小和形状配置成衰减从所述靶材料朝向所述磁轭发射的中子；以及束通道，其从所述加速室延伸到所述靶区域，所述束通道至少部分由所述磁轭以及所述靶系统的所述辐射屏蔽形成。
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