[发明专利]太阳电池及制造太阳电池的方法有效
| 申请号： | 201080038315.5 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102484168A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 保罗·科尼利斯·巴顿;罗纳德·科尼利斯·杰勒德·纳波尔;阿诺·费迪南·斯塔森 | 申请（专利权）人： | 荷兰能源研究中心基金会 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;杨莘 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种从第一导电类型的半导体基板(1)制造太阳电池的方法(100；100a；100b；100c)，半导体基板具有正面(2)和背面(3)。所述方法顺序地包括：纹理化(102)正面以形成纹理化的正面(2a)；通过第一导电类型的掺杂物的扩散在纹理的正面形成(103)第一导电类型的掺杂层(2c)并在背面中形成(103)第一导电类型的背面电场层(4)；通过适于保留纹理化的正面的纹理的蚀刻处理从纹理化的正面移除(105；104a)第一导电类型的掺杂层；通过第二导电类型的掺杂物扩散到纹理化正面内在纹理化的正面上形成(106)所述第二导电类型的层(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种从第一导电类型的半导体基板(1)制造太阳电池的方法(100；100a；100b；100c)，所述半导体基板具有正面(2)和背面(3)，所述方法顺序地包括：纹理化(102)所述正面以形成纹理化的正面(2a)；通过第一导电类型的掺杂物的扩散在所述纹理化的正面形成(103)第一导电类型的掺杂层(2c)并在所述背面中形成(103)所述第一导电类型的背面电场层(4)；通过适于保留所述纹理化的正面的纹理的蚀刻处理从所述纹理化的正面移除(105；104a)所述第一导电类型的掺杂层；通过使第二导电类型的掺杂物扩散至所述纹理化的正面内，在所述纹理化的正面上形成(106)所述第二导电类型的层(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
