[发明专利]用于薄膜激光刻划的且具有提高的产量的方法和相关系统无效
申请号: | 201080038329.7 | 申请日: | 2010-08-05 |
公开(公告)号: | CN102648532A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 安托尼·P·马内斯;雷伟圣 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042;B23K26/36 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种用于制造太阳能电池组件的方法和相关系统。方法的实例包括:形成一系列层,并在形成与任意隔离线相关的特征之前在所述层中刻划一系列对准的互联线。与现有的方法相比,所述方法的实例提供连续刻划的互联线的使用,在所述现有的方法中,至少一个互联线被分段以避免穿过先前形成的隔离线相关特征而进行刻划,所述先前形成的隔离线相关特征处于将要刻划隔离线的位置。使用连续刻划的互联线的能力可提高制造工艺的产量。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜 激光 刻划 具有 提高 产量 方法 相关 系统 | ||
【主权项】:
一种用于制造太阳能电池组件的方法,所述方法包括:提供工件,所述工件包括基板和第一层;将多个第一互联线刻划到所述第一层中;在将第二层沉积到所述第一层上和沉积到所述第一互联线中之后,将多个第二互联线刻划到所述第二层中,其中每一个所述第二互联线都与所述第一互联线中的一个相邻,且其中每一个第二互联线都是连续的;在将第三层沉积到所述第二层上和沉积到所述第二互联线中之后,将多个第三互联线刻划到所述第二层和刻划到所述第三层中,其中每一个所述第三互联线都与所述第二互联线中的一个相邻;以及将多个隔离线刻划到所述第一层、所述第二层以及所述第三层中。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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