[发明专利]用于气态气相沉积的薄膜暗盒无效
申请号: | 201080038883.5 | 申请日: | 2010-08-31 |
公开(公告)号: | CN102482776A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | P·F·卡西亚;C·埃斯特拉达;R·D·基纳德;R·S·麦克利恩;K·H·施尔基图斯 | 申请(专利权)人: | 纳幕尔杜邦公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/54;B29C35/00;B29C59/00;B65D83/00;B65H45/00;C23C16/455 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王伦伟;李炳爱 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 用于在气态气相沉积工艺期间支撑薄膜的暗盒包括具有第一端板和第二端板的中心转轴。每个端板上的脊均形成能够接纳薄膜的边缘的螺旋槽。每个脊均具有含有大致线性主要边缘的横截面构型、预定的宽度尺寸和预定的平均厚度尺寸以及至少2∶1的宽度与厚度纵横比。所述脊可为在自由端具有任选的扰流器的大致矩形或者大致楔形。端板之间的轮辐间的间距为至少三百毫米(300mm)并且也大于在气态沉积温度下薄膜基质的宽度尺寸。每个脊的宽度尺寸均介于所述轮辐间的间距的约0.5%至约2.0%之间。 | ||
搜索关键词: | 用于 气态 沉积 薄膜 暗盒 | ||
【主权项】:
用于在气态气相沉积工艺期间支撑一段薄膜基质的暗盒,所述薄膜基质在气态沉积温度下具有预定的宽度尺寸,所述暗盒包括:中心转轴,其具有穿过它的轴线;第一端板和第二端板,每个端板均被安装到所述转轴,每个端板均包括从其辐射多个以角度间隔的轮辐的中心毂,每个端板的轮辐均具有位于基准平面上的内表面,所述基准平面被定向成基本上垂直于所述转轴的轴线,所述端板的轮辐的内表面是面对设置的并且间隔开预定的轮辐间的间距,每个端板均具有安装到其所述轮辐的内表面的螺旋脊,每个螺旋脊均具有预定数目的均匀隔开的圈和与其相关联的预定节距,在所述螺旋脊的相邻圈之间的空间限定出每个端板上的能够接纳薄膜边缘的螺旋槽,每个螺旋槽均具有第一端部和第二端部,在一个端板中的螺旋槽面向另一个端板中的螺旋槽,每个相应的凹槽的第一端部和第二端部均被轴向对齐,每个脊均具有在包含所述转轴的轴线的径向平面中的横截面构型,所述横截面构型表现出大致线性的主要边缘,每个脊均具有从所述脊在平行于所述转轴的轴线的方向上被安装在其上的轮辐的内表面测量的预定宽度尺寸、相对于所述转轴的轴线在径向上测量的预定平均厚度尺寸和至少2∶1的宽度与平均厚度纵横比,其中所述轮辐间的间距为至少三百毫米(300mm)并且大于在气态沉积温度下薄膜基质所表现出的宽度尺寸,并且所述脊在每个端板上的宽度尺寸均介于轮辐间的间距的约0.5%至约2.0%之间。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的