[发明专利]CMP抛光垫及其制造方法有效
| 申请号： | 201080038956.0 | 申请日： | 2010-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102484058A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 金七敏 | 申请（专利权）人： | 西江大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种CMP抛光垫及其制造方法。所述CMP抛光垫利用以下方法制造：将吸光材料分散在所述垫的表面内或表面上以及利用吸光材料吸收激光束以形成孔，其中所述孔的直径由激光束的波长确定。本发明的CMP抛光垫具有通过在CMP抛光垫的表面上或表面内分散的吸光材料吸收激光束而在其中形成的孔，并且根据吸光材料的类型可有效地吸收各种波长的激光束，使得可在CMP抛光垫中形成具有期望直径的孔，由此能够低成本地制造具有优异抛光特性的CMP抛光垫。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 抛光 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CMP抛光垫，所述CMP抛光垫在其至少一个表面上形成有多个孔，其中所述孔通过将吸光材料分散在CMP抛光垫的表面内或表面上并用激光束照射所述吸光材料而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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