[发明专利]倾斜刻蚀应用中提高流体运送的装置和方法有效
申请号: | 201080039169.8 | 申请日: | 2010-08-26 |
公开(公告)号: | CN102484064A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 米格尔·A·萨达纳;格雷格·塞克斯顿 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/02 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种供应用于处理半导体处理腔中的衬底的多个处理流体的装置。该装置包括多个处理流体供料阀和被定义在交叉阀与调整供料阀之间的流体供料网。该装置进一步包括通过调整供料阀连接到流体供料网的调整流体供应源。该装置进一步包括通过多个处理流体供料阀连接到流体供料网的多个处理流体。具有衬底支架的处理腔也被包括在该装置中。处理腔进一步包括边缘流体供料器和中部流体供料器,边缘流体供料器通过边缘使能阀连接到流体供料网而中部供料器通过中部使能阀连接到流体供料网。其中交叉阀、边缘使能阀和中部使能阀使调整流体或处理流体中的一个流到边缘流体供料器或中部流体供料器中的一个。 | ||
搜索关键词: | 倾斜 刻蚀 应用 提高 流体 运送 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种供应用于处理半导体处理腔中的衬底的多个处理流体的装置,包括:流体供料网,其被定义在交叉阀和调整供料阀以及多个处理流体供应阀之间;调整流体供应源,其通过所述调整供料阀连接到所述流体供料网;多个处理流体,其通过所述多个处理流体供应阀连接到所述流体供料网;以及处理腔,其具有衬底支架,所述处理腔进一步具有边缘流体供料器和中部流体供料器,所述边缘流体供料器通过边缘使能阀连接到所述流体供料网而所述中部流体供料器通过中部使能阀连接到所述流体供料网;其中所述交叉阀、边缘使能阀和中部使能阀使调整流体或处理流体中的一个流到所述边缘流体供料器或所述中部流体供料器中的一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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