[发明专利]碳化硅包覆碳基材的制造方法、碳化硅包覆碳基材、碳化硅碳复合烧结体、陶瓷包覆碳化硅碳复合烧结体以及碳化硅碳复合烧结体的制造方法有效
| 申请号： | 201080039227.7 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102482165A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 中村正治;宫本钦生;东城哲朗 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/52 | 分类号： | C04B35/52;C01B31/04;C01B31/36;C04B41/87 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 制造在石墨等碳基材的表面致密且均匀地包覆有碳化硅覆膜的碳化硅包覆碳基材。其特征在于，包括：准备在表面具有由没有悬空键的SP2碳结构构成的基部、和由具有悬空键的SP2碳结构构成的边缘部的碳基材的工序；和通过在温度1400～1600℃、压力1～150Pa的气氛中使碳基材的表面与SiO气体反应而形成碳化硅，制造由碳化硅所包覆的碳基材的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 包覆碳 基材 制造 方法 复合 烧结 陶瓷 以及 | ||
【主权项】：
一种碳化硅包覆碳基材的制造方法，其特征在于，包括：准备在表面具有由没有悬空键的SP2碳结构构成的基部、和由具有悬空键的SP2碳结构构成的边缘部的碳基材的工序；通过在温度1400～1600℃、压力1～150Pa的气氛中使所述碳基材的表面与SiO气体反应而形成碳化硅，制造由碳化硅所包覆的碳基材的工序。
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