[发明专利]利用可倾斜的高架RF感应源的等离子体反应器有效
申请号: | 201080039319.5 | 申请日: | 2010-06-11 |
公开(公告)号: | CN102576672A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 肯尼思·S·柯林斯;安德鲁·源;杰弗瑞·马丁·萨利纳斯;伊玛德·尤瑟夫;明·徐 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H05H1/24;H05H1/30 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 通过使高架RF源功率施加器绕倾斜轴倾斜来执行等离子体蚀刻速率分布中的歪斜校正,倾斜轴的角度是由处理数据中的歪斜来确定的。通过结合对浮置板进行支撑的精确的三个轴向运动伺服系统来提供运动的完全自由度,从该浮置板悬挂高架RF源功率施加器。 | ||
搜索关键词: | 利用 倾斜 rf 感应 等离子体 反应器 | ||
【主权项】:
一种用于处理工件的等离子体反应器,其包括:处理室壳体,其限定了处理室内部并且包括室侧壁以及室顶壁,并且工件保持件在所述处理室内部内;导电RF壳体,其在所述顶壁上方、并且包括RF壳体侧壁和RF壳体顶盖;肩部环,其被支撑在所述RF壳体侧壁上;浮置支撑板,其在所述导电RF壳体内侧并且被定位成与所述肩部环相邻;多个径向内、外RF等离子体源功率施加器,其从所述浮置支撑板悬挂在位于所述浮置支撑板下方、所述室顶壁上方的空间中;多个RF功率源,所述多个RF功率源中的每一者被耦合到所述多个RF等离子体功率施加器中的相应一者;和多个致动器,所述多个致动器相对于所述肩部环固定并且绕所述肩部环隔开周期性间隔,所述多个致动器中的每一者都包括轴向可移动臂、沿着轴向驱动所述轴向可移动臂的电机、以及具有两个接头端部的可旋转接头,一个所述接头端部被连接到所述轴向可移动臂,另一个所述接头端部被连接到所述浮置支撑板的与这一个致动器相邻的部分,由此所述浮置板由所述多个致动器中的分别每一者的可旋转接头支撑在分别的多个位置处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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