[发明专利]铝多孔介质无效
| 申请号： | 201080039651.1 | 申请日： | 2010-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102484048A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 格雷戈里·S·蒙加斯;格雷戈里·H·彼得斯;乔恩·A·史密斯 | 申请（专利权）人： | 火星工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 披露了烧结金属或其它材料的可变密度或分层孔隙微流体多孔介质结构的材料，以及它们的制备方法。一种实施方式披露了具有分层孔隙微流体介质结构的可变密度的铝多孔介质元件。本文披露的制作铝多孔介质元件的方法包括：混合粘合剂与金属粉末以产生第一混合物；加热第一混合物至低于金属烧结温度以获得金属粉末的均质复合物；以及加热均质复合物至金属烧结温度以烧结结合金属粉末从而获得第一孔隙度的多孔介质。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 介质 | ||
【主权项】：
一种生产烧结介质元件的方法，所述方法包括：混合粘合剂与金属粉末以产生第一混合物；加热所述第一混合物至低于金属烧结温度以获得所述金属粉末的均质复合物；加热所述均质复合物至金属烧结温度以烧结结合所述金属粉末，从而获得第一孔隙度的多孔介质；以及处理所述第一孔隙度的多孔介质以从所述第一孔隙度的多孔介质除去氧化物薄层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
