[发明专利]半导体发光元件的制造方法、灯、电子设备和机械装置有效
| 申请号： | 201080039686.5 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102484177A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 酒井浩光 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;F21S2/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体发光元件的制造方法，具备：在第1有机金属化学气相沉积装置中，在基板上层叠第一n型半导体层的第1工序；和在第2有机金属化学气相沉积装置中，在所述第一n型半导体层上依次层叠再生长层、第二n型半导体层、活性层和p型半导体层的第2工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 电子设备 机械 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具有：在第1有机金属化学气相沉积装置中，在基板上层叠第一n型半导体层的第1工序；和在第2有机金属化学气相沉积装置中，在所述第一n型半导体层上依次层叠再生长层、第二n型半导体层、活性层和p型半导体层的第2工序。
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