[发明专利]用于溅射靶的铜材料及其制造方法有效
| 申请号： | 201080039836.2 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102482768A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 广濑清慈;菊地大辅;高桥功;金森宏明;周伟铭;中嶋章文 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C9/00;C22F1/08;C22F1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种溅射靶用铜材料及其制造方法，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，在溅射面、在板厚深度方向距该溅射面1/4板厚的位置的与溅射面平行的面、和在板厚深度方向距该溅射面1/2板厚的位置的与溅射面平行的面所测定的结晶粒径的算术平均值分别为100～200μm，在各测定面内和各测定面之间，结晶粒径的标准偏差为10μm以内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 溅射 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶用铜材料，其特征在于，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，在溅射面、在板厚深度方向距该溅射面1/4板厚的位置的与溅射面平行的面、和在板厚深度方向距该溅射面1/2板厚的位置的与溅射面平行的面所测定的结晶粒径的算术平均值分别为100～200μm，在各测定面内和各测定面之间，结晶粒径的标准偏差为10μm以内。
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