[发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法、半导体生长用基板、半导体生长用基板的制造方法、半导体元件、发光元件、显示面板、电子元件、太阳能电池元件及电子设备无效
| 申请号： | 201080039838.1 | 申请日： | 2010-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102482797A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 藤冈洋;平崎哲郎;植仁志;山下顺也;羽鸟浩章 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京大学;东海炭素株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C14/06;C23C14/14;C30B29/06;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有结晶性高的半导体层的半导体基板。所述半导体基板为：具备石墨层和半导体层的半导体基板，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成，所述半导体层设置于该石墨层的表面上、以该石墨层的表面作为生长面；具备表面具有石墨层的基板、缓冲层和半导体层的半导体基板，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成，所述缓冲层设置于所述石墨层的表面上、以所述石墨层的表面作为生长面，所述半导体层设置于所述缓冲层上、以所述缓冲层的表面作为生长面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 生长 用基板 元件 发光 显示 面板 电子元件 太阳能电池 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体基板，其具备表面具有石墨层的基板和半导体层，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成，所述半导体层设置于所述石墨层的表面上、以该石墨层的表面作为生长面。
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