[发明专利]基于等离子体信号与基板位置和电位相耦合来优化等离子体释放的方法和设备有效
申请号: | 201080039844.7 | 申请日: | 2010-08-31 |
公开(公告)号: | CN102484086A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 约翰·C·小瓦尔克;绍拉·乌拉尔;丹尼尔·比允;艾德·桑托斯;康斯坦丁·莫格拉乔夫 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/687;H01L21/205;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于优化释放程序的方法,该释放程序包括从下电极移除基板。该方法包括进行初步分析以确定在释放程序过程中等离子体第一成组的电气特性数据是否穿越阈值。如果是的话,关闭惰性气体。该方法还包括从下电极轻微地抬升升降销以便把基板往上移动。该方法进一步包括进行机械和电气分析,该分析包括对含有由升降销施用的力量的第一成组的机械数据与阈值进行比较。该机械和电气分析还包括对第二成组的电气特性数据与阈值进行比较。如果两者都穿越各自的阈值,由于基板释放事件已经发生,从下电极移除基板。 | ||
搜索关键词: | 基于 等离子体 信号 位置 位相 耦合 优化 释放 方法 设备 | ||
【主权项】:
用于优化释放程序的方法,该释放程序包括从位于等离子体处理系统中处理室内的下电极机械地移除基板,该方法包括:进行初步分析,其中,该初步分析包括:分析等离子体第一成组的电气特性数据,其中,该等离子体在所述释放程序过程中形成于该基板上,把该第一成组的电气特性数据与成组的电气特性阈值进行比较,和如果该第一成组的电气特性数据穿越该成组的电气特性阈值,关闭惰性气体;从所述下电极抬升升降销以便把所述基板往上移动,其中,该升降销没有被抬升到最高位置;和进行机械和电气分析,其中,该机械和电气分析包括:分析第一成组的机械数据,其中,该成组的机械数据包括由该升降销施用的力量,分析第二成组的电气特性数据,把该第一成组的机械数据与成组的机械阈值进行比较并把该第二成组的电气特性数据与该成组的电气特性阈值进行比较,和如果该第一成组的机械数据穿越该成组的机械阈值并且该第二成组的电气特性数据穿越该成组的电气特性阈值,由于基板释放事件已经发生,从该下电极移除该基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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