[发明专利]含过渡金属化合物的纳米粒子及其制造方法、空穴注入传输层用油墨以及具有空穴注入传输层的器件及其制造方法有效
申请号: | 201080040121.9 | 申请日: | 2010-10-27 |
公开(公告)号: | CN102484210A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 上野滋弘;田口洋介;下河原匡哉 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;B82B1/00;B82B3/00;C01B31/34;C09K11/06;H05B33/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张宝荣 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供制造方法容易,同时能够实现长寿命的器件。本发明的器件,是具有在基板上对向的2个以上的电极和在其中的2个电极间配置的空穴注入传输层的器件,其特征在于,上述空穴注入传输层含有具有疏水性的有机基的保护剂通过连接基与至少包含选自过渡金属碳化氧化物、过渡金属氮化氧化物和过渡金属硫化氧化物中的1种以上的过渡金属化合物连接而成的含过渡金属化合物的纳米粒子。 | ||
搜索关键词: | 过渡 金属 化合物 纳米 粒子 及其 制造 方法 空穴 注入 传输 油墨 以及 具有 器件 | ||
【主权项】:
一种含过渡金属化合物的纳米粒子,其特征在于,通过连接基,使具有疏水性的有机基的保护剂与过渡金属化合物连接而成,该过渡金属化合物包含选自过渡金属碳化氧化物、过渡金属氮化氧化物和过渡金属硫化氧化物中的1种以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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