[发明专利]包括功能性区域的基板结构和用于转移功能性区域的方法无效
| 申请号： | 201080040343.0 | 申请日： | 2010-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102576779A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 米原隆夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/68;B41J2/45 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据用于转移功能性区域(101，102)的方法，布置于第一基板(103)上的分离层(105)上的功能性区域(101，102)的至少一部分被转移到第二基板(100)上，分离层(105)能够通过处理进入能分离状态。在第一接合步骤中，在干膜抗蚀剂(115)被布置于第二基板(100)与第一基板(103)之上的功能性区域(101，102)的所述至少一部分之间的状况下，第一基板(103)与第二基板(100)接合。在曝光步骤中，干膜抗蚀剂(115)的至少一部分被曝光。在构图步骤中，曝光的干膜抗蚀剂(115)被构图。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 功能 区域 板结 用于 转移 方法 | ||
【主权项】：
一种用于将布置于第一基板上的分离层上的功能性区域的至少一部分转移到第二基板上的方法，分离层能够通过处理进入能分离状态，所述方法包括：第一接合步骤，在第二基板与第一基板之上的功能性区域的所述至少一部分之间布置干膜抗蚀剂的状况下接合第一基板与第二基板；曝光步骤，将干膜抗蚀剂的至少一部分曝光；以及构图步骤，将被曝光的干膜抗蚀剂构图。
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