[发明专利]含金属-硅膜的脉冲化学气相沉积在审
| 申请号： | 201080040678.2 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102575344A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 考利·瓦吉达 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于通过脉冲化学气相沉积在衬底上形成含金属-硅膜的方法。所述方法包括：在处理室中提供所述衬底；将所述衬底保持在适于在所述衬底上通过含金属气体和含硅气体的热分解化学气相沉积所述含金属-硅膜的温度下；将所述衬底暴露于所述含金属气体的连续流；以及在所述连续流期间，将所述衬底暴露于所述含硅气体的顺序脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 脉冲 化学 沉积 | ||
【主权项】：
一种用于在衬底上形成含金属‑硅膜的方法，所述方法包括：在处理室中提供所述衬底；将所述衬底保持在适于在所述衬底上通过含金属气体和含硅气体的热分解化学气相沉积所述含金属‑硅膜的温度下；将所述衬底暴露于所述含金属气体的连续流；以及在所述连续流期间，将所述衬底暴露于所述含硅气体的顺序脉冲。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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