[发明专利]隔片形成用膜、半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置

摘要

一种半导体晶片接合体的制造方法，包括：准备隔片形成用膜的工序，其中，所述隔片形成用膜具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有感光性的隔片形成层；将所述隔片形成层粘贴于半导体晶片的一个面上的工序；通过对所述隔片形成层进行曝光、显影而进行图案化，从而形成隔片，并且去除所述支承基材的工序；以及在所述隔片的曾经与所述支承基材相接触的部分，以被包含于该部分内侧的方式，接合透明基板的工序。由此，可制造出通过隔片均匀且可靠地接合半导体晶片和透明基板而成的半导体晶片接合体。

主权项

一种隔片形成用膜，具有片状支承基材和隔片形成层，所述隔片形成层设置于所述支承基材上并具有能够通过曝光、显影来形成要设置于透明基板与半导体晶片之间的隔片的光固化性，其特征在于，若设定所述支承基材的平均厚度为t1、所述隔片形成层的平均厚度为t2、可见光波段中的所述支承基材的吸光系数为αV1、可见光波段中的所述隔片形成层的吸光系数为αV2时，则分别满足下列关系式<1>～<4>，其中，厚度的单位是μm、吸光系数的单位是1/μm，αV1×t1+αV2×t2≤‑log10(0.2)        ……<1>5≤t1≤200                            ……<2>5≤t2≤400                            ……<3>10≤t1+t2≤405                        ……<4>。