[发明专利]涂覆坩埚及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 201080041000.6 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102549201A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | R·J·菲利普斯;S·L·金贝尔;A·德什潘德;石刚 | 申请（专利权）人： | MEMC新加坡私人有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B15/10;C30B29/06;C30B35/00;C04B35/584 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 唐秀玲;林柏楠 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 用于保持熔融半导体材料和用于通过定向凝固方法制备多晶硅锭的氮化硅涂覆的坩埚；用于涂覆坩埚的方法；用于制备硅锭和晶片的方法；用于涂覆坩埚的组合物，及具有低氧含量的硅锭和晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种用于容纳熔融半导体材料的坩埚，所述坩埚包含：具有底部和从底部向上延伸的侧壁的主体，底部和侧壁限定用于容纳半导体材料的空腔，侧壁具有内表面和外表面；和在侧壁内表面的第一区域上的第一涂层；在侧壁内表面的第二区域上的第二涂层，其中第二涂层包含在第一涂层中不存在的添加剂。
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