[发明专利]用于蚀刻含硅膜的方法有效
| 申请号： | 201080041037.9 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102498550A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 功刀俊介;真弓聪;佐藤崇 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于蚀刻含硅膜的方法，其中有机膜的隆起或剥离得到防止。具体地，将基本上不含氢原子的蚀刻材料气体引入到处于近大气压下的等离子体生成空间(23)中，以产生蚀刻气体。使蚀刻气体与包含含硅膜(92)和有机膜(93)的待处理目标物(90)接触。含硅膜(92)可通过氧化氮(NOx)氧化。蚀刻材料气体含有7至80体积％的不含氢原子的氟组分，7至80体积％的氮气(N2)和5至60体积％的氧气(O2)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 含硅膜 方法 | ||
【主权项】：
一种用于蚀刻待处理目标物的含硅膜的方法，所述目标物包含所述含硅膜和有机膜，所述含硅膜可被氧化氮(NOx)氧化，所述方法包括：通过将基本上不含氢原子的原料气引入到处于近大气压下的等离子体生成空间中而产生蚀刻气体的生成步骤；和使所述蚀刻气体与所述目标物接触的蚀刻反应步骤；其中所述原料气含有7至80体积％的不含氢原子的氟组分、7至80体积％的氮气(N2)和5至60体积％的氧气(O2)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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