[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201080041041.5 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102511085A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 横川俊哉;大屋满明;山田笃志;加藤亮 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体元件具备：氮化物系半导体层叠结构(20)，其具有表面(12)从m面以1°以上且5°以下的角度倾斜的p型半导体区域；和设置在p型半导体区域上的电极(30)。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)半导体层(26)形成。电极(30)包括：与p型半导体区域的表面(12)接触的Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的金属层(34)。金属层(34)由从Pt、Mo和Pd所组成的组中选择的至少1种金属形成。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体元件，具备：具有p型半导体区域的氮化物系半导体层叠结构；和设置在所述p型半导体区域上的电极，所述p型半导体区域由AlxInyGazN半导体形成，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0，所述p型半导体区域是从m面以1°以上的角度倾斜的半导体层，所述p型半导体区域中的主面的法线与m面的法线所形成的角度在1°以上且5°以下，所述电极包括与所述p型半导体区域的所述主面接触的Mg层和形成在所述Mg层上的金属层，所述金属层由从Pt、Mo和Pd所组成的组中选择的至少1种金属形成。
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