[发明专利]功率半导体模块和功率半导体电路装置无效
| 申请号： | 201080041082.4 | 申请日： | 2010-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102484432A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | A.舍恩克内希特 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李少丹;李家麟 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率半导体模块，具有衬底（31），至少两个设置在该衬底（31）上的并联连接的功率半导体开关（32），至少一个中间电路端子（T+a；T+b；T+ab）用于将功率半导体开关与第一供给电压电势连接，至少两个中间电路端子（T-a,T-b）；T用于将功率半导体开关(32)与第二供给电压电势连接，其中一个供给电压电势是负，另一个是正。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 电路 装置 | ||
【主权项】：
一种功率半导体模块，具有衬底（31），至少两个设置在该衬底（31）上的并联连接的功率半导体开关（32），至少一个中间电路端子（T+a；T+b；T+ab），用于将功率半导体开关与第一供给电压电势连接，以及至少两个中间电路端子（T‑a,T‑b），用于将功率半导体开关(32)与第二供给电压电势连接，其中一个供给电压电势是负，另一个是正。
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