[发明专利]芳香族烃树脂和光刻用下层膜形成组合物有效
| 申请号： | 201080041176.1 | 申请日： | 2010-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102574963A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 井出野隆次;北诚二;荻原雅司;东原豪 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | C08G10/02 | 分类号： | C08G10/02;C08G61/10;G03F7/11 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供可以作为半导体用的涂布剂或抗蚀剂用树脂使用的碳浓度高、氧浓度低的芳香族烃树脂；另外提供用于形成作为多层抗蚀剂工艺用下层膜的、耐蚀刻性优异的光刻用下层膜的组合物、以及由这些组合物形成的下层膜和使用了该下层膜的图案形成方法。使芳香族烃和芳香族醛在酸性催化剂的存在下反应，得到碳浓度高至90～99.9质量％且氧浓度低至0～5质量％的芳香族烃树脂。另外，本发明涉及包含该树脂和有机溶剂的光刻用下层膜形成组合物、由该组合物形成的下层膜和使用了该下层膜的图案形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 芳香族 树脂 光刻 下层 形成 组合 | ||
【主权项】：
1.一种芳香族烃树脂，其通过使式[1]所示的芳香族烃和式[2]所示的醛在酸性催化剂的存在下反应而得到，![]()
式[1]中，R表示氢或碳原子数1～4的烷基，l和m分别表示1～3的数，A表示0～2的数，l和m各自为2以上时，存在的多个R可以相同也可以不同；![]()
式[2]中，X表示氢、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～10的芳基、环己基、羟基、甲酰基或羰基，p和q分别表示1～3的数，B表示0～2的数，p和q各自为2以上时，存在的多个X可以相同也可以不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱瓦斯化学株式会社，未经三菱瓦斯化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080041176.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
