[发明专利]具有波长识别的光电检测器、其形成方法及设计结构有效
| 申请号： | 201080041299.5 | 申请日： | 2010-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102498567A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | J.M.埃特肯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴立明;杨移 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明一般地涉及光电检测器及其形成方法，更特别地涉及光学的光电检测器。光电检测器(10)包括具有控制被检测的特定波长或特定波长范围的半径的波导(35)。本发明还涉及前述光电检测器的设计结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 波长 识别 光电 检测器 形成 方法 设计 结构 | ||
【主权项】：
一种光电检测器，包括：半导体衬底；所述半导体衬底内的光转换器件；在所述光转换器件之上的第一层；在所述第一层之上的第二层；以及具有半径r并定位于所述第一层和所述光转换器件之上的波导，其中r在约1000埃至约4000埃的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
