[发明专利]多晶硅块及多晶硅块的制造方法有效
| 申请号： | 201080041462.8 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102498064A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 祢津茂义;冈田淳一;久米史高 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供导致单晶硅的质量降低的重金属杂质铬、铁、镍、铜、钴的总含量低的洁净的高纯度多晶硅块。在利用西门子法得到的多晶硅棒的电极侧端附近，铬、铁、镍、铜、钴的总浓度高。因此，在多晶硅棒(100)的破碎工序之前，设置将取出到反应炉外的多晶硅棒(100)的距电极侧端至少70mm以内的多晶硅部分除去的截切工序。由此，能够将块体中铬、铁、镍、铜、钴的总浓度为150ppta以上的多晶硅部分除去。为了得到杂质浓度更低的多晶硅块，只要将距电极侧端至少155mm以内的多晶硅部分除去即可。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅块，其中，由块体中检测到的铬、铁、镍、铜、钴的杂质浓度总计为150ppta以下。
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