[发明专利]具有硅锗低接触电阻的PIN二极管及其形成方法无效
| 申请号： | 201080041550.8 | 申请日： | 2010-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102640289A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 阿伯吉特·班德亚帕德耶;侯坤;斯蒂文·麦克斯韦 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | H01L29/165 | 分类号： | H01L29/165;H01L29/45;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨生平;钟锦舜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了半导体PIN二极管及其形成方法。在一方面，在被掺杂成具有一种传导率(p+或n+)的区和到PIN二极管的电触头之间形成SiGe区。该SiGe区可用于减小接触电阻，其可增加正向偏置电流。掺杂区在SiGe区下方延伸，使其处于SiGe区和二极管的本征区之间。PIN二极管可由硅形成。在SiGe区下方的掺杂区可用于防止由于增加的SiGe区而引起反向偏置电流增加。在一个实施例中，形成SiGe区，使得在存储器阵列中的向上指向的PIN二极管的正向偏置电流与向下指向的PIN二极管的正向偏置电流充分匹配，这可当这些二极管与三维存储器阵列中的R/W材料一起使用时实现更好的切换结果。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 硅锗低 接触 电阻 pin 二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体二极管的方法，所述方法包括：形成以具有第一传导率的第一材料掺杂的第一硅区(504)；在所述第一硅区上形成第二硅区(506)，所述第二硅区非故意掺杂；在所述第二硅区上形成第三硅区(508，513)；以具有与所述第一传导率相反的第二传导率的第二材料掺杂所述第三硅区(512，513)；在所述第三硅区上形成SiGe区(510，515)；及在所述SiGe区上形成上触头(516)。
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