[发明专利]制造基于硅的薄膜太阳能电池的方法

摘要

在一种制造基于硅的薄膜太阳能电池的方法中，提供基板；在所述基板上沉积透明导电氧化物的第一电极层。在第一时间间隔期间处理所述透明导电氧化物层的表面。之后在第二时间间隔期间在所处理的表面上沉积掺杂层。在包含气态掺杂物的气氛中执行对透明导电氧化物表面的处理，该气态掺杂物与在用于沉积掺杂层的所述气氛中包含的量不同。除此不同之外，用于执行对透明导电氧化物表面的处理的工艺与用于沉积掺杂层的工艺相同。然而，第一时间间隔比用于沉积掺杂层的时间间隔短得多。

主权项

一种制造基于硅的薄膜太阳能电池的方法，该太阳能电池包括：●基板；●所述基板上的第一电极层，其包含透明导电氧化物；●所述第一电极层上的堆叠层，其包含正掺杂半导体层、本征半导体层及负掺杂半导体层以及第二电极层；所述方法包含以下步骤：●提供所述基板；●在所述基板上沉积所述第一电极层，该第一电极层包含所述透明导电氧化物并具有表面；●在第一时间间隔期间由第一真空处理工艺处理所述表面；●由在第二时间间隔期间在包含气态掺杂物的工艺气氛中执行的第二真空工艺在由所述第一真空处理工艺所处理的所述表面上沉积所述正掺杂层及所述负掺杂层之一；●在包含气态掺杂物的工艺气氛中执行所述第一真空处理工艺，该气态掺杂物与在所述第二真空工艺的所述气氛中包含的量不同，但是在其它方面执行与所述第二真空工艺相同的所述第一真空处理工艺，并选择比所述第二时间间隔短的所述第一时间间隔。