[发明专利]高效率非晶/微晶堆叠串联电池无效
| 申请号： | 201080041574.3 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102782882A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | E·瓦拉特-绍瓦因;D·博雷洛;J·拜拉特;J·迈尔;U·克罗尔;S·贝纳格利;C·卢西;G·蒙特杜罗;M·马梅洛;J·赫策尔;Y·德杰里丹;J·施泰因豪泽;J-B·奥尔汉 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/076 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;卢江 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 公开了一种用于制造非晶/微晶堆叠串联电池的方法，该非晶/微晶堆叠串联电池包括μc-Si：H底部电池与a-Si:H顶部电池、LPCVDZnO正面接触层及ZnO背面接触结合白反射体，该方法包括下列步骤：—将AR-抗反射-概念应用于该非晶/微晶堆叠串联电池；—在该非晶/微晶堆叠串联电池中实施中间反射体。该非晶/微晶堆叠串联电池可以获得10.6％的稳定效率。 | ||
| 搜索关键词： | 高效率 堆叠 串联 电池 | ||
【主权项】：
一种用于制造非晶/微晶堆叠串联电池的方法，该非晶/微晶堆叠串联电池包括μc‑Si:H底部电池与a‑Si:H顶部电池、LPCVD ZnO正面接触层及ZnO背面接触结合白反射体，该方法包括下列步骤：将AR‑抗反射‑概念应用于该非晶/微晶堆叠串联电池；在该非晶/微晶堆叠串联电池中实施中间反射体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
