[发明专利]高分子量烷基-烯丙基三羰基钴配合物及其用于制备介电薄膜的用途有效
| 申请号： | 201080041747.1 | 申请日： | 2010-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102574884A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | R·奥德拉;N·博格;J·安西斯;R·坎乔里亚 | 申请（专利权）人： | 西格玛-奥吉奇有限责任公司 |
| 主分类号： | C07F15/06 | 分类号： | C07F15/06;C23C16/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨勇 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供通过气相沉积工艺形成含钴薄膜的方法。该方法包括使用对应于式I结构的至少一种前体；其中R1和R2独立地为C2-C8烷基；x为0、1或2；并且y为0或1；其中x和y两者不能同时为0。 | ||
| 搜索关键词： | 分子量 烷基 丙基 羰基 配合 及其 用于 制备 薄膜 用途 | ||
【主权项】：
1.通过气相沉积工艺形成含钴薄膜的方法，该方法包括使用对应于式I结构的至少一种前体：![]()
(式I)其中R1和R2独立地为C2-C8烷基；x为0、1或2；并且y为0或1；其中x和y两者不能同时为0。
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