[发明专利]背接触太阳能电池中的通孔的激光钻孔无效
申请号: | 201080041750.3 | 申请日: | 2010-09-17 |
公开(公告)号: | CN102598310A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 杰夫·富兰克林;詹姆斯·M·吉 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042;B23K26/36 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例涉及在制造背接触太阳能电池(诸如发射极穿绕(EWT)太阳能电池)期间、用于在硅衬底中激光钻孔的方法和设备。在一个实施例中,该方法和设备使用短焦距平场透镜和动态扫描技术来在硅衬底中完成单次脉冲钻孔。相比于常规的设备和处理,该方法和设备使得速度和在EWT太阳能电池衬底中的孔的质量增加。 | ||
搜索关键词: | 接触 太阳能电池 中的 激光 钻孔 | ||
【主权项】:
一种用于形成穿过衬底的孔的方法,其包括如下步骤:使用激光扫描仪在所述衬底的表面的第一部分内形成穿过所述衬底的孔的第一图案;将所述激光扫描仪定位在所述衬底的表面的第二部分上方,所述第二部分与所述第一部分相邻;以及在所述第二部分内形成穿过所述衬底的孔的第二图案,其中,利用单次激光脉冲来形成每个孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的