[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201080041924.6 申请日: 2010-10-15
公开(公告)号: CN102576708A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 山崎舜平;小山润;加藤清 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/105 分类号: H01L27/105;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/786
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 目的是提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括:第一布线;第二布线;第三布线;第四布线;具有第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极的第一晶体管;以及具有第二栅电极、第二源电极以及第二漏电极的第二晶体管。所述第一晶体管设置在包括半导体材料的衬底中。所述第二晶体管包括氧化物半导体层。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:第一布线、第二布线、第三布线、第四布线、第五布线以及在所述第一布线和所述第二布线之间并联连接的多个存储元件,其中,所述多个存储元件之一包括:具有第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极的第一晶体管;具有第二栅电极、第二源电极以及第二漏电极的第二晶体管;以及具有第三栅电极、第三源电极以及第三漏电极的第三晶体管,其中,所述第一晶体管设置在包括半导体材料的衬底中,其中,所述第二晶体管包括氧化物半导体层,其中,所述第一栅电极与所述第二源电极和所述第二漏电极中的一方相互电连接,其中,所述第一布线与所述第一源电极相互电连接,其中,所述第一漏电极与所述第三源电极相互电连接,其中,所述第二布线与所述第三漏电极相互电连接,其中,所述第三布线与所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一方相互电连接,其中,所述第四布线与所述第二栅电极相互电连接,并且,其中,所述第五布线与所述第三栅电极相互电连接。
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