[发明专利]太阳能电池无效
| 申请号： | 201080042146.2 | 申请日： | 2010-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102648529A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | M·赫姆勒;H·豪泽;P·伯格;B·布拉西;M·佩特斯;J·C·戈尔德施密特 | 申请（专利权）人： | 弗劳恩霍弗实用研究促进协会;弗赖堡阿尔伯特-路德维格大学 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/052;H01L31/075 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;张颖玲 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池，包括：一个硅层、一个构造成用于光输入的正面和一个背面，所述硅层具有第一掺杂类型的掺杂，其中，硅层是掺杂的基层(1、21、31)，在硅层的背面上设置至少一个织构层(2、22、32)和一个金属层(4、24、34)，必要时分别设置在另外的中间层上，并且织构层至少在一个部分区域内具有背面织构，所述背面织构构造成光学的衍射结构。重要的是，在背面织构和金属层(4、24、34)之间设置至少一个织构中间结构(3、23、33)，其中，金属层(4、24、34)与织构层(2、22、32)和/或与基层(1、21、31)导电地连接，织构中间结构(3、23、33)至少在800nm至11OOnm的波长范围内是基本透明的，并至少在该波长范围内具有小于织构层折射率的折射率n，所有设置在基层(1、21、31)和织构中间结构(3、23、33)之间的层的折射率与硅的折射率最大相差30％，并且直接设置在基层(1、21、31)的背面上的层是在少数载流子的复合方面使表面钝化的钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
太阳能电池，包括：一个硅层、一个构造成用于光输入的正面和一个背面，所述硅层具有第一掺杂类型的掺杂，其中，硅层是掺杂的基层(1、21、31)，在硅层的背面上设置至少一个织构层(2、22、32)和一个金属层(4、24、34)，必要时分别具有另外的中间层，并且织构层(2、22、32)至少在一个部分区域内具有背面织构，所述背面织构构造成光学的衍射结构，其特征在于，在背面织构和金属层(4、24、34)之间设置至少一个织构中间结构(3、23、33)，其中金属层(4、24、34)与织构层(2、22、32)和/或与基层(1、21、31)导电地连接，织构中间结构(3、23、33)至少在800nm至1100nm的波长范围内是基本透明的，并至少在该波长范围内具有小于织构层折射率的折射率n，所有设置在基层(1、21、31)和织构中间结构(3、23、33)之间的层的折射率与硅的折射率最大相差30％，并且直接设置在基层(1、21、31)的背面上的层是在少数载流子的复合方面使表面钝化的钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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