[发明专利]改性氧化钨及其制备方法无效
| 申请号： | 201080042159.X | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102548902A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | L·梅达;A·塔卡;C·A·比格诺奇;S·卡拉莫里;V·克里斯蒂诺 | 申请（专利权）人： | 艾尼股份公司 |
| 主分类号： | C01G41/00 | 分类号： | C01G41/00;C01G41/02;H01G9/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 任永利 |
| 地址： | 意大*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改性氧化钨，该改性氧化钨具有相对于该氧化物总原子数为0.5-7.0％，优选2.0-5.0％处于晶格位置的氮原子的原子浓度，具有可通过扫描电子显微镜检测的具有以下特征的表面形态：蠕虫状或分枝状外露隆起物形式的纳米结构体，该纳米结构体优选具有200-2,000nm的长度，和50-300nm的宽度，所述改性氧化钨具有类似于爆米花的外观。本发明还涉及通过金属钨的阳极化制备上述氧化物的方法，以及包含上述氧化物的光阳极。 | ||
| 搜索关键词： | 改性 氧化钨 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
改性氧化钨，该改性氧化钨具有相对于该氧化物总原子数为0.5‑7.0％、优选2.0‑5.0％的处于晶格位置的氮原子的原子浓度，具有可通过扫描电子显微镜检测的具有以下特征的表面形态：蠕虫状或分枝状外露隆起物形式的纳米结构体，该纳米结构体优选具有200‑2,000nm的长度，和50‑300nm的宽度。
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