[发明专利]纳米粒子材料的制造方法、纳米粒子材料以及光电转换器件有效
申请号: | 201080042600.4 | 申请日: | 2010-09-14 |
公开(公告)号: | CN102576747A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 村山浩二 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;B82B1/00;B82B3/00;H01L51/42 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种纳米粒子材料的制造方法,其中,将空穴输送性表面活性剂注入至InP/ZnS分散溶液中,将InP/ZnS量子点表面用空穴输送性表面活性剂覆盖,制作带有空穴输送性表面活性剂的InP/ZnS分散溶液。接着,使用旋涂法等,将带有空穴输送性表面活性剂的InP/ZnS分散溶液涂布于基板7上,形成带有1层或2层以上的空穴输送性表面活性剂的量子点层8(a)。接着,准备含有电子输送性表面活性剂6的分散溶液(置换溶液)。将在表面形成带有空穴输送性表面活性剂的量子点层8的基板7以规定时间浸渍于置换溶液中,使空穴输送性表面活性剂的一部分与电子输送性表面活性剂进行置换,形成1层或2层以上的量子点层9(b)。由此实现载流子输送效率良好且适于光电转换器件用途的纳米粒子材料的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 纳米 粒子 材料 制造 方法 以及 光电 转换 器件 | ||
【主权项】:
一种纳米粒子材料的制造方法,其特征在于,包括以下工序:超微粒子膜形成工序,形成用具有空穴输送性和电子输送性中的任一种输送性的表面活性剂覆盖的超微粒子膜;及浸渍工序,将在该超微粒子膜形成工序中形成的超微粒子膜浸渍于含有具有与所述一种输送性不同的另一种输送性的表面活性剂的分散溶液中,形成用所述空穴输送性和所述电子输送性这两种表面活性剂覆盖的超微粒子膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的